在實(shí)際的電源電路設(shè)計(jì)中BOOST升壓電路因其能將較低的輸入電壓提升到更高的輸出電壓被廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。然而一個(gè)僅能完成升壓功能的電路是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的尤其是在面對(duì)復(fù)雜的負(fù)載變化、環(huán)境溫度波動(dòng)或意外短路時(shí)缺乏保護(hù)機(jī)制的電路極易損壞。因此為BOOST電路設(shè)計(jì)可靠的過(guò)溫與過(guò)流保護(hù)是確保系統(tǒng)穩(wěn)定性和安全性的關(guān)鍵一步。本文將從BOOST電路的基本原理出發(fā)逐步講解如何為其集成過(guò)溫與過(guò)流保護(hù)功能涵蓋從分立元件方案到集成IC方案的選型、設(shè)計(jì)、參數(shù)計(jì)算、仿真驗(yàn)證以及實(shí)際調(diào)試中的常見(jiàn)問(wèn)題。無(wú)論你是正在學(xué)習(xí)電源設(shè)計(jì)的電子愛(ài)好者還是需要為產(chǎn)品選型的嵌入式工程師都能通過(guò)本文獲得一套可落地的設(shè)計(jì)思路與排查方法。1. 理解BOOST升壓電路的核心與保護(hù)的必要性BOOST電路也稱為升壓斬波電路其核心功能是利用電感的儲(chǔ)能特性通過(guò)開(kāi)關(guān)管的周期性通斷將輸入電壓提升到更高的水平。理解其工作原理是設(shè)計(jì)保護(hù)電路的基礎(chǔ)。1.1 BOOST電路的基本工作原理一個(gè)典型的BOOST電路由功率開(kāi)關(guān)管通常是MOSFET、儲(chǔ)能電感、續(xù)流二極管和輸出濾波電容構(gòu)成。其工作過(guò)程可以分為兩個(gè)階段開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通階段開(kāi)關(guān)管閉合輸入電源直接為電感充電電感電流線性上升電能以磁場(chǎng)能的形式儲(chǔ)存在電感中。此時(shí)二極管因承受反向電壓而截止負(fù)載由輸出電容單獨(dú)供電。開(kāi)關(guān)管關(guān)斷階段開(kāi)關(guān)管斷開(kāi)由于電感電流不能突變它會(huì)產(chǎn)生一個(gè)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)極性為左負(fù)右正該電動(dòng)勢(shì)與輸入電源電壓串聯(lián)共同通過(guò)導(dǎo)通的二極管向輸出電容和負(fù)載供電同時(shí)對(duì)電容充電從而在輸出端獲得高于輸入電壓的直流電壓。輸出電壓Vout與輸入電壓Vin、開(kāi)關(guān)管占空比D的關(guān)系近似為Vout ≈ Vin / (1 - D)。這個(gè)公式清晰地表明通過(guò)調(diào)節(jié)占空比D可以控制輸出電壓。1.2 為什么必須引入過(guò)溫與過(guò)流保護(hù)在理想模型中BOOST電路可以穩(wěn)定工作。但在實(shí)際工程中多種因素會(huì)威脅電路安全過(guò)流風(fēng)險(xiǎn)負(fù)載短路輸出端意外短路會(huì)導(dǎo)致電感電流和二極管電流急劇增大瞬間燒毀開(kāi)關(guān)管或二極管。負(fù)載突變負(fù)載功率突然增加如電機(jī)啟動(dòng)可能導(dǎo)致電感電流峰值超過(guò)元件額定值。電感飽和如果電感選型不當(dāng)或溫度過(guò)高導(dǎo)致磁芯飽和其電感量會(huì)驟降使得開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)電流上升斜率極大產(chǎn)生巨大的尖峰電流。過(guò)溫風(fēng)險(xiǎn)導(dǎo)通損耗開(kāi)關(guān)管和二極管在導(dǎo)通時(shí)存在內(nèi)阻Rds(on),Vf電流流過(guò)會(huì)產(chǎn)生熱量。開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)管在導(dǎo)通和關(guān)斷的瞬間電壓和電流存在交疊區(qū)域會(huì)產(chǎn)生可觀的開(kāi)關(guān)損耗頻率越高越顯著。環(huán)境溫度設(shè)備在密閉空間或高溫環(huán)境下工作散熱條件惡化。 持續(xù)的溫升會(huì)降低元件可靠性甚至引發(fā)熱失控最終導(dǎo)致永久性損壞。因此保護(hù)電路的核心任務(wù)就是實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)關(guān)鍵參數(shù)電流、溫度并在其超過(guò)安全閾值時(shí)迅速采取行動(dòng)如關(guān)斷開(kāi)關(guān)管、限制占空比將電路拉回安全區(qū)或完全關(guān)閉。2. 保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案與關(guān)鍵元件選型實(shí)現(xiàn)過(guò)溫過(guò)流保護(hù)主要有兩種技術(shù)路徑基于分立元件與通用運(yùn)放/比較器搭建以及采用集成了保護(hù)功能的專用BOOST控制器IC。我們將分別探討。2.1 分立元件方案靈活但復(fù)雜對(duì)于實(shí)驗(yàn)、小批量或特殊要求的項(xiàng)目可以采用分立方案。其核心是利用采樣電阻、溫度傳感器如NTC熱敏電阻配合比較器或運(yùn)放來(lái)產(chǎn)生保護(hù)信號(hào)。過(guò)流保護(hù)OCP設(shè)計(jì)電流采樣在電流路徑上串聯(lián)一個(gè)毫歐級(jí)別的采樣電阻Rsense。通常將其放在電感與開(kāi)關(guān)管源極之間接地路徑或放在開(kāi)關(guān)管與地之間以方便測(cè)量。位置選擇放在地路徑可以簡(jiǎn)化運(yùn)放電路單電源供電但會(huì)引入地線噪聲。放在高端需要差分采樣或?qū)Ｓ秒娏鞑蓸臃糯笃?。信?hào)放大與比較采樣電阻上的壓降Vsense I * Rsense。此信號(hào)很小通常幾十到幾百毫伏需要經(jīng)過(guò)運(yùn)放放大再送入比較器與一個(gè)參考電壓Vref_ocp比較。Vref_ocp對(duì)應(yīng)設(shè)定的過(guò)流閾值。保護(hù)動(dòng)作當(dāng)Vsense Vref_ocp比較器輸出翻轉(zhuǎn)觸發(fā)后續(xù)邏輯如鎖存器、單片機(jī)中斷來(lái)關(guān)閉PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)。過(guò)溫保護(hù)OTP設(shè)計(jì)溫度采樣使用NTC熱敏電阻將其粘貼在需要監(jiān)控的元件如MOSFET、電感或PCB熱點(diǎn)區(qū)域。NTC電阻值隨溫度升高而降低。分壓與比較將NTC與一個(gè)固定電阻串聯(lián)組成分壓電路。溫度變化導(dǎo)致分壓點(diǎn)電壓變化。將此電壓送入另一個(gè)比較器與設(shè)定的溫度閾值電壓Vref_otp比較。保護(hù)動(dòng)作當(dāng)溫度過(guò)高分壓點(diǎn)電壓超過(guò)或低于取決于電路設(shè)計(jì)Vref_otp時(shí)比較器觸發(fā)保護(hù)。注意分立方案需要仔細(xì)設(shè)計(jì)運(yùn)放的帶寬、比較器的響應(yīng)速度并處理好信號(hào)地的噪聲問(wèn)題。此外還需要考慮保護(hù)信號(hào)的去抖和自恢復(fù)/鎖存邏輯。2.2 集成IC方案高效且可靠對(duì)于大多數(shù)產(chǎn)品化設(shè)計(jì)推薦使用集成了過(guò)溫過(guò)流保護(hù)功能的BOOST控制器IC或電源管理IC如MT3608、XL6009等。這類方案將功率開(kāi)關(guān)、PWM控制器、保護(hù)電路、反饋環(huán)路等集成在一顆芯片內(nèi)極大簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)和布局。以一款典型的集成BOOST芯片為例其保護(hù)功能通常包括逐周期電流限制Cycle-by-Cycle Current Limit芯片內(nèi)部通過(guò)檢測(cè)開(kāi)關(guān)管電流通常利用MOSFET的Rds(on)或外接采樣電阻在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)進(jìn)行判斷。一旦電流超過(guò)設(shè)定值立即終止本周期的導(dǎo)通直到下一個(gè)周期開(kāi)始。這是一種非?？焖俚谋Ｗo(hù)。打嗝模式Hiccup Mode或鎖存關(guān)閉Latch-Off當(dāng)持續(xù)過(guò)流或短路發(fā)生時(shí)芯片會(huì)進(jìn)入打嗝模式間歇性嘗試重啟或直接鎖存關(guān)閉需要斷電重啟。這可以防止在故障狀態(tài)下持續(xù)發(fā)熱。內(nèi)部過(guò)溫關(guān)斷芯片內(nèi)部集成了溫度傳感器當(dāng)結(jié)溫超過(guò)典型值如150°C時(shí)會(huì)強(qiáng)制關(guān)閉輸出溫度降低后自動(dòng)恢復(fù)。以MT3608為例的關(guān)鍵保護(hù)參數(shù) MT3608是一款常見(jiàn)的異步BOOST升壓芯片內(nèi)置功率MOSFET。其數(shù)據(jù)手冊(cè)中明確指出了保護(hù)特性過(guò)流保護(hù)通過(guò)檢測(cè)內(nèi)部MOSFET的電流實(shí)現(xiàn)。當(dāng)電感峰值電流超過(guò)一定閾值典型值如2A或4A具體看型號(hào)時(shí)芯片會(huì)限制占空比從而限制輸出功率。過(guò)溫保護(hù)結(jié)溫超過(guò)約150°C時(shí)芯片停止開(kāi)關(guān)直到溫度降至約120°C后恢復(fù)工作。選型要點(diǎn)明確需求確定輸入電壓范圍、輸出電壓電流、開(kāi)關(guān)頻率、效率要求。查看保護(hù)規(guī)格仔細(xì)閱讀數(shù)據(jù)手冊(cè)的“Protection Features”部分關(guān)注過(guò)流閾值、過(guò)溫關(guān)斷點(diǎn)、保護(hù)響應(yīng)模式逐周期、打嗝、鎖存。外圍電路簡(jiǎn)易性評(píng)估所需的外圍元件數(shù)量。集成度高的芯片可能只需要電感、二極管、電容和少數(shù)電阻電容即可工作。3. 基于集成IC的BOOST電路設(shè)計(jì)與參數(shù)計(jì)算我們以設(shè)計(jì)一個(gè)輸入5V輸出12V/1A采用集成芯片如類似MT3608的控制器的電路為例展示關(guān)鍵參數(shù)的計(jì)算和選型。3.1 原理圖設(shè)計(jì)與關(guān)鍵元件計(jì)算下圖是一個(gè)簡(jiǎn)化的BOOST電路原理圖框架Vin () ---[電感L]------[二極管D]------ Vout () | | [SW引腳] [電容Cout] | | GND GND芯片內(nèi)部集成開(kāi)關(guān)管SW為開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)引腳1. 電感L選型計(jì)算 電感是BOOST電路的核心儲(chǔ)能元件其值影響電流紋波和電路工作模式。電感電流紋波ΔIL通常設(shè)定為最大輸出電流的20%-40%。這里取30%則 ΔIL 0.3 * (Iout_max * Vout/Vin) 0.3 * (1A * 12V/5V) ≈ 0.72A。開(kāi)關(guān)頻率fsw假設(shè)芯片固定頻率為1.2MHz。占空比DD 1 - Vin/Vout 1 - 5/12 ≈ 0.583。電感量計(jì)算L Vin * D / (fsw * ΔIL) 5V * 0.583 / (1.2MHz * 0.72A) ≈ 3.37μH。 選擇一個(gè)接近的標(biāo)準(zhǔn)值如4.7μH。同時(shí)電感的飽和電流必須大于最大電感峰值電流IL_peak Iin_avg ΔIL/2。Iin_avg Iout * Vout/Vin 1A * 12/5 2.4A。因此 IL_peak ≈ 2.4A 0.36A 2.76A。選擇飽和電流至少3.5A的4.7μH功率電感。2. 輸出電容Cout選型計(jì)算 輸出電容用于濾除開(kāi)關(guān)紋波維持輸出電壓穩(wěn)定。輸出電壓紋波ΔVout假設(shè)要求紋波小于輸出電壓的1%120mV。電容容值計(jì)算忽略ESRCout_min Iout * D / (fsw * ΔVout) 1A * 0.583 / (1.2MHz * 0.12V) ≈ 4.05μF。 由于電容的等效串聯(lián)電阻ESR會(huì)貢獻(xiàn)額外的紋波實(shí)際應(yīng)選擇容值遠(yuǎn)大于此值的電容。通常選用22μF或47μF的低ESR陶瓷電容如X5R、X7R材質(zhì)。耐壓值需高于輸出電壓選擇16V或25V。3. 輸入電容Cin選型計(jì)算 輸入電容為開(kāi)關(guān)管提供低阻抗的電流路徑減少輸入電壓紋波。通常選擇一個(gè)10μF的低ESR陶瓷電容即可。4. 續(xù)流二極管D選型 對(duì)于異步BOOST需要外接肖特基二極管。其額定電流需大于最大輸出電流1A反向耐壓需大于輸出電壓12V。選擇2A/40V的肖特基二極管如SS24可以滿足要求并具有較低的正向壓降Vf以減少損耗。5. 反饋電阻R1, R2計(jì)算 集成芯片通過(guò)FB引腳檢測(cè)輸出電壓。Vout Vfb * (1 R1/R2)其中Vfb是芯片內(nèi)部的參考電壓例如1.2V。假設(shè)Vfb1.2V要得到12V輸出令 R2 10kΩ常用值。則 R1 R2 * (Vout/Vfb - 1) 10kΩ * (12V/1.2V - 1) 90kΩ。 選擇最接近的標(biāo)準(zhǔn)值91kΩ。3.2 PCB布局的注意事項(xiàng)糟糕的PCB布局會(huì)引入噪聲、增加損耗、導(dǎo)致保護(hù)誤動(dòng)作或失效。功率環(huán)路最小化輸入電容Cin、芯片的SW引腳、電感L、二極管D、輸出電容Cout構(gòu)成的功率環(huán)路面積要盡可能小。使用寬而短的走線。地平面處理為信號(hào)地反饋電阻、補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)建立一個(gè)安靜的地平面并通過(guò)單點(diǎn)連接到功率地輸入/輸出電容的接地端。反饋?zhàn)呔€反饋電阻的走線應(yīng)遠(yuǎn)離電感和二極管等噪聲源最好用地線包圍。散熱考慮如果芯片或二極管發(fā)熱較大應(yīng)在PCB上預(yù)留足夠的銅皮面積作為散熱焊盤必要時(shí)增加過(guò)孔將熱量傳導(dǎo)到背面或內(nèi)層。4. 保護(hù)功能的測(cè)試與驗(yàn)證方法設(shè)計(jì)完成后必須通過(guò)測(cè)試來(lái)驗(yàn)證保護(hù)功能是否按預(yù)期工作。4.1 過(guò)流保護(hù)測(cè)試測(cè)試設(shè)備可調(diào)電子負(fù)載、直流電源、示波器、電流探頭或使用采樣電阻配合示波器測(cè)量。測(cè)試步驟電路正常上電帶輕載確認(rèn)輸出電壓穩(wěn)定。逐漸增加電子負(fù)載的電流直到接近或達(dá)到設(shè)計(jì)的最大輸出電流。使用示波器觀察開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)SW的波形和電感電流波形如有電流探頭。繼續(xù)增加負(fù)載或直接將輸出短路謹(jǐn)慎操作可串聯(lián)一個(gè)保險(xiǎn)絲。預(yù)期現(xiàn)象與驗(yàn)證逐周期限流示波器上會(huì)看到電感電流波形在每個(gè)周期達(dá)到一個(gè)峰值后被斬?cái)噙@個(gè)峰值就是過(guò)流保護(hù)點(diǎn)。輸出電壓可能會(huì)下降。打嗝模式輸出電流會(huì)被周期性切斷和恢復(fù)輸出電壓波形呈脈沖狀。鎖存關(guān)閉輸出完全關(guān)閉電壓為0需要重啟電源才能恢復(fù)。記錄保護(hù)點(diǎn)測(cè)量觸發(fā)保護(hù)時(shí)的輸出電流或輸入電流與芯片手冊(cè)標(biāo)稱值對(duì)比。4.2 過(guò)溫保護(hù)測(cè)試測(cè)試設(shè)備熱風(fēng)槍或恒溫箱、熱電偶溫度計(jì)、紅外熱成像儀可選。測(cè)試步驟讓電路在最大負(fù)載下持續(xù)工作。使用熱電偶或熱像儀監(jiān)測(cè)芯片封裝表面或PCB熱點(diǎn)的溫度?？梢試L試用熱風(fēng)槍輕微加熱芯片區(qū)域加速溫升注意不要損壞其他元件。預(yù)期現(xiàn)象與驗(yàn)證當(dāng)溫度達(dá)到芯片標(biāo)稱的過(guò)溫關(guān)斷點(diǎn)如150°C時(shí)輸出應(yīng)被關(guān)閉。停止加熱或降低負(fù)載待溫度下降至恢復(fù)點(diǎn)如120°C后輸出應(yīng)自動(dòng)恢復(fù)。記錄關(guān)斷和恢復(fù)的溫度點(diǎn)。5. 常見(jiàn)問(wèn)題、故障現(xiàn)象與排查路徑在實(shí)際調(diào)試中可能會(huì)遇到各種問(wèn)題。下表列出了一些典型故障及其排查思路問(wèn)題現(xiàn)象可能原因檢查與排查步驟解決方案與建議電路無(wú)輸出或輸出電壓極低1. 輸入電源未接通或反接。2. 使能引腳EN未正確拉高。3. 電感開(kāi)路或焊錯(cuò)。4. 二極管方向焊反。5. 芯片損壞。1. 檢查輸入電壓和極性。2. 測(cè)量EN引腳電壓確認(rèn)符合手冊(cè)要求。3. 測(cè)量電感兩端電阻檢查是否導(dǎo)通。4. 用萬(wàn)用表二極管檔檢查二極管方向。5. 檢查芯片各引腳對(duì)地是否有短路。1. 確保供電正確。2. 根據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)配置EN引腳。3. 更換電感。4. 糾正二極管方向。5. 更換芯片。輸出電壓不穩(wěn)定紋波過(guò)大1. 輸出電容容值不足或ESR過(guò)高。2. 輸入電容容值不足。3. 反饋網(wǎng)絡(luò)電阻值錯(cuò)誤或走線受干擾。4. 電感值不合適或飽和。1. 用示波器測(cè)量輸出紋波觀察波形。2. 測(cè)量輸入電壓紋波。3. 檢查反饋電阻阻值并確保FB引腳走線遠(yuǎn)離噪聲源。4. 用電流探頭觀察電感電流波形是否出現(xiàn)飽和尖峰。1. 并聯(lián)多個(gè)低ESR陶瓷電容或增加容值。2. 增加輸入電容。3. 校正電阻值優(yōu)化布局。4. 更換飽和電流更大的電感。芯片異常發(fā)熱甚至燒毀1. 開(kāi)關(guān)損耗過(guò)大頻率過(guò)高或布局差。2. 導(dǎo)通損耗過(guò)大電感電流過(guò)大、MOSFET Rds(on)高。3. 二極管反向恢復(fù)慢或損耗大。4. 持續(xù)過(guò)載或短路保護(hù)未生效。1. 觸摸芯片和電感判斷主要熱源。2. 測(cè)量輸入輸出電流計(jì)算效率。3. 用示波器觀察SW節(jié)點(diǎn)波形看上升/下降沿是否陡峭。4. 測(cè)試過(guò)流保護(hù)點(diǎn)是否正常。1. 優(yōu)化PCB布局減小寄生參數(shù)若可能適當(dāng)降低頻率。2. 確保負(fù)載在額定范圍內(nèi)選擇Rds(on)更低的芯片。3. 更換為肖特基二極管。4. 確認(rèn)保護(hù)電路參數(shù)檢查采樣電阻或反饋。過(guò)流保護(hù)過(guò)早或過(guò)晚觸發(fā)1. 電流采樣電阻值不準(zhǔn)確。2. 比較器參考電壓Vref_ocp漂移。3. 芯片內(nèi)部保護(hù)閾值離散性。4. 噪聲導(dǎo)致誤觸發(fā)。1. 用精密電阻表測(cè)量采樣電阻實(shí)際值。2. 測(cè)量Vref_ocp電壓是否穩(wěn)定。3. 查閱芯片手冊(cè)看閾值是否有范圍Min/Typ/Max。4. 用示波器觀察采樣信號(hào)是否有噪聲毛刺。1. 使用高精度、低溫漂的采樣電阻。2. 使用穩(wěn)定的基準(zhǔn)源。3. 設(shè)計(jì)時(shí)按最壞情況Min值考慮。4. 在采樣信號(hào)端增加RC低通濾波注意相位延遲。輕載時(shí)工作異常如嘯叫1. 芯片在輕載時(shí)進(jìn)入間歇工作模式Burst Mode其周期性啟停可能引發(fā)電感或陶瓷電容振動(dòng)。2. 反饋環(huán)路在輕載下不穩(wěn)定。1. 聽(tīng)是否有高頻“吱吱”聲。2. 用示波器觀察輸出電壓和SW波形看是否呈突發(fā)脈沖群。1. 有些芯片可通過(guò)外部引腳禁用Burst Mode。2. 在輸出端增加一個(gè)微小假負(fù)載如數(shù)mA使其脫離極輕載狀態(tài)。3. 調(diào)整補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)如果芯片允許。6. 進(jìn)階考慮與最佳實(shí)踐當(dāng)基本電路工作正常后為了提升可靠性、效率和適用性還需要考慮以下方面。6.1 提高效率與熱管理元件選型選擇低Rds(on)的MOSFET對(duì)于控制器外置MOSFET的方案、低正向壓降Vf的肖特基二極管、低DCR直流電阻的電感以及低ESR的電容。同步整流對(duì)于大電流應(yīng)用考慮使用同步BOOST控制器它用MOSFET取代二極管作為續(xù)流元件可以顯著降低導(dǎo)通損耗。散熱設(shè)計(jì)根據(jù)熱耗散計(jì)算為發(fā)熱元件芯片、電感、二極管設(shè)計(jì)足夠的散熱面積。使用導(dǎo)熱墊、散熱片或通過(guò)過(guò)孔將熱量傳導(dǎo)至PCB背面銅層。6.2 電磁兼容性EMC考慮BOOST電路是強(qiáng)噪聲源良好的EMC設(shè)計(jì)對(duì)產(chǎn)品認(rèn)證至關(guān)重要。輸入/輸出濾波在電源入口和出口增加π型濾波器抑制傳導(dǎo)發(fā)射。屏蔽與接地對(duì)敏感電路或輻射源進(jìn)行屏蔽。確保良好的接地系統(tǒng)。緩沖吸收電路在開(kāi)關(guān)管兩端或二極管兩端并聯(lián)RC吸收電路Snubber可以減緩電壓變化率dv/dt減小開(kāi)關(guān)噪聲和振鈴。例如在BOOST二極管兩端并聯(lián)一個(gè)RC串聯(lián)電路如10Ω 1nF可以有效吸收反向恢復(fù)引起的尖峰。6.3 與微控制器的協(xié)同在智能設(shè)備中BOOST電路常由MCU控制。使能控制使用MCU的GPIO控制BOOST芯片的EN引腳實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)和電源時(shí)序管理。故障監(jiān)測(cè)一些高級(jí)電源芯片提供Power GoodPG或故障標(biāo)志引腳MCU可以讀取其狀態(tài)進(jìn)行診斷。數(shù)字調(diào)壓對(duì)于支持?jǐn)?shù)字接口如I2C的電源芯片MCU可以動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)輸出電壓實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)DVS以節(jié)省功耗。設(shè)計(jì)一個(gè)可靠的BOOST升壓電路實(shí)現(xiàn)升壓功能只是第一步。深入理解過(guò)溫過(guò)流保護(hù)的必要性并根據(jù)項(xiàng)目復(fù)雜度、成本和可靠性要求在分立方案與集成IC方案之間做出合理選擇是成功的關(guān)鍵。通過(guò)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膮?shù)計(jì)算、仔細(xì)的PCB布局、全面的功能測(cè)試以及系統(tǒng)的故障排查才能打造出既能滿足性能指標(biāo)又能經(jīng)受住各種異常工況考驗(yàn)的電源模塊。在實(shí)際項(xiàng)目中務(wù)必養(yǎng)成先仿真后實(shí)作、先測(cè)試輕載再測(cè)試滿載、先驗(yàn)證功能再驗(yàn)證保護(hù)的習(xí)慣這將為你節(jié)省大量的調(diào)試時(shí)間和物料成本。